掩膜版发展
掩膜版发展 – 光刻胶叠涂 – 芯片薄膜沉积技术是什么 – 驰飞超声波喷涂
光刻技术是半导体器件制造工艺中一个核心步骤，而光刻机又名掩模对准曝光机。这是因为常用的光刻机是掩膜对准光刻。光学光刻技术到目前为止大致经历了三个阶段，而掩膜版在光刻曝光的过程中起到了重要作用，且随着光刻技术的发展变的越来越复杂和精细。
根据掩膜曝光方式的不同，分为接触式曝光，接近式曝光和投影式曝光。90年代以来，投影式曝光光刻技术成为了光刻技术的主流。在这之后，当技术节点发展到32nm时，传统光刻的光学特点在极小尺寸下受到物理规律的限制必须采用其他的辅助技术继续提升其分辨率。其中这些辅助技术多是针对掩膜版的改进。而当最小线宽小于28nm，则需要多重曝光技术将掩模版拆分成多个，分别进行曝光。
掩模版的复杂度和数量快速增加的同时也使得掩模制造、维护的成本增高。进入纳米尺度之后，掩模的成本和制作周期也大幅增加，光刻中的很大一部分的成本支出用于掩模制作。
未来存在无掩模光刻技术替代风险。所以近年来业界也开始了无掩膜版光刻技术的研究，其中比较有代表性的技术有：带电粒子无掩模光刻(CPML)，光学无掩模光刻（OML）。值得注意的是，目前全球范围内平板显示、半导体、触控等行业基本都采用掩膜版作为基准图案进行曝光复制量产，无掩膜光刻技术精度及效率较低，主要用于电路板行业。随着科学研究的进步，不排除出现新的无掩膜光刻技术对原有的工艺技术形成替代，从而产生技术替代风险。
超声波喷涂技术用于半导体光刻胶涂层。与传统的旋涂和浸涂工艺相比，它具有均匀性高、微观结构良好的封装性和可控制的涂覆面积大小等优点。在过去的十年中，已经充分证明了采用超声喷涂技术的3D微结构表面光刻胶涂层，所制备的光刻胶涂层在微观结构包裹性和均匀性方面都明显高于传统的旋涂。
